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Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機

簡(jiǎn)要描述:【無(wú)錫冠亞】半導體控溫解決方案主要產(chǎn)品包括半導體專(zhuān)?溫控設備、射流式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理裝置等?設備,?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機

  • 產(chǎn)品型號:LTS-202
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-01-11
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:455
詳情介紹
品牌冠亞制冷冷卻方式水冷式
價(jià)格區間10萬(wàn)-50萬(wàn)產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)
儀器種類(lèi)一體式應用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥,汽車(chē)



無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導體控溫解決方案

主要產(chǎn)品包括半導體專(zhuān)?溫控設備、射流式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理裝置等?設備,

?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。




【 冠亞制冷 】半導體行業(yè)主營(yíng)控溫產(chǎn)品:

半導體專(zhuān)溫控設備

射流式?低溫沖擊測試機

半導體專(zhuān)用溫控設備chiller

Chiller氣體降溫控溫系統

Chiller直冷型

循環(huán)風(fēng)控溫裝置

半導體?低溫測試設備

電?設備?溫低溫恒溫測試冷熱源

射流式高低溫沖擊測試機

快速溫變控溫卡盤(pán)

數據中心液冷解決方案


型號FLT-002FLT-003FLT-004FLT-006FLT-008FLT-010FLT-015
FLT-002WFLT-003WFLT-004WFLT-006WFLT-008WFLT-010WFLT-015W
溫度范圍5℃~40℃
控溫精度±0.1℃
流量控制  10~25L/min  5bar max15~45L/min  6bar max25~75L/min  6bar max
制冷量at10℃6kw8kw10kw15 kw20kw25kw40kw
內循環(huán)液容積4L5L6L8L10L12L20L
膨脹罐容積10L10L15L15L20L25L35L
制冷劑R410A
載冷劑硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等  (DI溫度需要控制10℃以上)
進(jìn)出接口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG3/4ZG3/4ZG1ZG1
冷卻水口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG1ZG1ZG1ZG1 1/8
冷卻水流量at20℃1.5m3/h2m3/h2.5m3/h4m3/h4.5m3/h5.6m3/h9m3/h
電源380V3.5kW4kW5.5kW7kW9.5kW12kW16kW
溫度擴展通過(guò)增加電加熱器,擴展-25℃~80℃





Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機

Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機


  集成電路晶圓制造Chiller在半導體制造工藝中作為一種制冷加熱動(dòng)態(tài)控溫設備,可以用在不同的工藝中,以下是在半導體制造工藝中的應用:

  1、氧化工藝:在氧化工藝中,需要將硅片放入氧化爐中,并在高溫下進(jìn)行氧化反應。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛,以確保氧化反應的穩定性和均勻性。

  2、退火工藝:在退火工藝中,需要將硅片加熱到一定溫度,并保持一段時(shí)間,以消除晶格中的應力并改善材料的性能。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時(shí)間,以確保退火過(guò)程的穩定性和可靠性。

  3、刻蝕工藝:在刻蝕工藝中,需要將硅片暴露在化學(xué)試劑中,以去除不需要的材料。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學(xué)試劑的溫度和流量,以確??涛g過(guò)程的穩定性和精度。

  4、薄膜沉積工藝:在薄膜沉積工藝中,需要將材料沉積在硅片上,以形成所需的薄膜結構。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設備的溫度和氣氛,以確保薄膜沉積的穩定性和質(zhì)量。

  5、離子注入工藝:在離子注入工藝中,需要將離子注入到硅片中,以改變材料的性質(zhì)和結構。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設備的溫度和電流,以確保離子注入的穩定性和精度。


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